- 產(chǎn)品型號:TPH4R606NH,L1Q
- 制 造 商:東芝半導體(Toshiba)
- 出廠封裝:8-SOP
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
深圳市諾森半導電子有限公司提供TPH4R606NH,L1Q報價、現(xiàn)貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
TPH4R606NH,L1Q >>> 東芝半導體芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供東芝半導體公司TPH4R606NH,L1Q報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購TPH4R606NH,L1Q?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務!
東芝半導體公司完整型號:TPH4R606NH,L1Q
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):32A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 16A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):49nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3965pF @ 30V
功率 - 最大值:63W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商器件封裝:8-SOP 高級