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TK10P60W,RVQ
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東芝半導體公司完整型號:TK10P60W,RVQ

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:超級結

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):9.7A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):430 毫歐 @ 4.9A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 500μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):700pF @ 300V

功率 - 最大值:80W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應商器件封裝:DPAK


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