- 產品型號:CL31B475KPHNNWE
- 制 造 商:三星半導體(Samsung)
- 出廠封裝:1206
- 功能類別:陶瓷電容器
- 功能描述:CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
深圳市諾森半導電子有限公司提供CL31B475KPHNNWE報價、現貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格,那就馬上與我們聯系吧!
CL31B475KPHNNWE >>> 三星半導體芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供三星半導體公司CL31B475KPHNNWE報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯系吧!
采購CL31B475KPHNNWE?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產品試產到大批量生產,我們將提供性價比最高的現貨供應服務!
原廠標準完整型號: CL31B475KPHNNWE
制造廠家名稱: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
功能總體簡述: CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
系列: CL
電容: 4.7μF
容差: ±10%
電壓 - 額定: 10V
溫度系數: X7R
安裝類型: 表面貼裝,MLCC
工作溫度: -55°C ~ 125°C
應用: 通用
等級: -
封裝/外殼: 1206(3216 公制)
大小/尺寸: 0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
高度 - 安裝(最大值): -
厚度(最大值): 0.071"(1.80mm)
引線間距: -
特性: -
引線形式: -