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STD100N10F7
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STD100N10F7

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N CH 100V 80A DPAK

系列:DeepGATE, STripFET VII

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8 毫歐 @ 40A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):61nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4369pF @ 50V

功率 - 最大值:120W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:DPAK


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