- 產品型號:NP110N04PDG-E1-AY
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導體)
- 出廠封裝:TO-263
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
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Renesas瑞薩完整型號:NP110N04PDG-E1-AY
制造廠家名稱:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):40V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):110A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 55A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):390nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):25700pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商器件封裝:TO-263