- 產品型號:PSMN2R8-40BS
- 制 造 商:Nexperia(安世半導體)
- 出廠封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 功能類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
- 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
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Nexperia公司器件型號:PSMN2R8-40BS,118
制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離
功能總體描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
系列:-
零件狀態:在售
FET 類型:N 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss):40V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):71nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4491pF @ 20V
Vgs(最大值):±20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):211W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):2.9 毫歐 @ 10A,10V
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
Nexperia公司標準封裝:D2PAK
封裝形式:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
PSMN2R8-40BS的標準包裝數量(SPQ):800 PCS