- 產(chǎn)品型號:PMDPB70EN,115
- 制 造 商:NXP(恩智浦半導體)
- 出廠封裝:6-DFN2020
- 功能類別:場效應管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
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NXP恩智浦完整型號:PMDPB70EN,115
制造廠家名稱:NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
系列:-
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.5A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):57 毫歐 @ 3.5A, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):130pF @ 15V
功率 - 最大值:510mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝:6-DFN2020(2x2)