- 產(chǎn)品型號:IPI80N06S3L-05
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-TO262-3
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPI80N06S3L-05
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
系列:OptiMOS?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):55V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.8 毫歐 @ 69A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 115μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):273nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):13060pF @ 25V
功率 - 最大值:165W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3