- 產(chǎn)品型號:BSP613P L6327
- 制 造 商:Infineon(英飛凌)
- 出廠封裝:PG-SOT223-4
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSP613P L6327
制造廠家名稱:Infineon Technologies
描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
系列:SIPMOS
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.9A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):130 毫歐 @ 2.9A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):33nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):875pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4