- 產品型號:DMN10H170SFG-13
- 制 造 商:Diodes(美臺半導體)
- 出廠封裝:PowerDI3333-8
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
深圳市諾森半導電子有限公司提供DMN10H170SFG-13報價、現貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格,那就馬上與我們聯系吧!
DMN10H170SFG-13 >>> Diodes芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供Diodes公司DMN10H170SFG-13報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯系吧!
采購DMN10H170SFG-13?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產品試產到大批量生產,我們將提供性價比最高的現貨供應服務!
Diodes公司完整型號:DMN10H170SFG-13
制造廠家名稱:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):2.9A(Ta),8.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):122 毫歐 @ 3.3A, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):14.9nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):870.7pF @ 25V
功率 - 最大值:940mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVQFN
供應商器件封裝:PowerDI3333-8